[发明专利]集成电路及其形成方法

摘要

一些实施例涉及设置在硅衬底上的集成电路(IC)，其包括具有第一导电类型的阱区。介电层设置在硅衬底的上表面上方，并且在阱区的外边缘上方延伸，并且包括使得阱区的内部暴露的开口。SiGe或Ge的外延柱从阱区的内部向上延伸。外延柱包括具有第一导电类型的下部外延区和具有与第一导电类型相反的第二导电类型的上部外延区。介电侧壁结构围绕外延柱并且具有停留在介电层的上表面上的底面。本发明的实施例还涉及形成集成电路的方法。

主权项

1.一种集成电路(IC)，包括：衬底，包括具有第一导电类型的阱区；介电层，布置在所述衬底的上表面上方，所述介电层在所述阱区的外边缘上方延伸并且包括使得所述阱区的内部暴露的开口；SiGe或Ge的外延柱，从所述阱区的所述内部向上延伸，所述外延柱包括具有所述第一导电类型的下部外延区和具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的上部外延区；以及介电侧壁结构，围绕所述外延柱并具有停留在所述介电层的上表面上的底面，氮化硅层，设置在所述介电层上方，所述氮化硅层具有通过所述介电侧壁结构与所述外延柱的外侧壁间隔开的内侧壁。