[发明专利]测试结构和测试方法有效
申请号: | 201710620066.4 | 申请日: | 2017-07-26 |
公开(公告)号: | CN109309019B | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
发明(设计)人: | 陈福刚;唐丽贤 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 300385 天津市西青*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种测试结构和测试方法,所述测试结构包括N层金属层,N为大于或等于2的整数,所述N层金属层包括至少一层具有第一金属线的第一类金属层和至少一层具有两条以上间隔排列的第二金属线的第二类金属层;位于相邻的两层金属层之间以及同层相邻的两条第二金属线之间的金属层间介质层;用于连接相邻的两层金属层的金属通孔;与所述第二类金属层下方的第一类金属层位于同一层,且所述测试焊垫位于所述第一金属线的两端并电连接的测试焊垫。所述测试方法通过监测所述测试焊垫连接的第一金属层的电性参数,便可有效判断所述金属层间介质层是否发生断裂的现象。所述测试结构简单,布局容易;所述测试方法操作简易,可控性高。 | ||
搜索关键词: | 测试 结构 方法 | ||
【主权项】:
1.一种测试结构,其特征在于,包括:N层金属层,N为大于或等于2的整数,所述N层金属层包括至少一层第一类金属层和至少一层第二类金属层,所述第一类金属层具有第一金属线,所述第二类金属层具有两条以上间隔排列的第二金属线,所述第一金属线的长度大于所述第二金属线的长度,至少有一层所述第一类金属层位于所述第二类金属层的下层,且位于所述第二类金属层下方的所述第一金属线在所述金属层的堆叠方向上的投影,与至少一层所述第二类金属层中的相邻两个所述第二金属线、以及之间的间隔在所述堆叠方向上的投影重叠;金属层间介质层,所述金属层间介质层位于相邻的两层金属层之间以及同层相邻的两条第二金属线之间;金属通孔,所述金属通孔位于所述相邻的两层金属层之间,用于连接所述相邻的两层金属层;测试焊垫,所述测试焊垫与所述第二类金属层下方的第一类金属层位于同一层,且所述测试焊垫位于所述第一金属线的两端并电连接,所述测试焊垫暴露于所述金属层间介质层之外。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造