[发明专利]基板处理装置和喷嘴在审
| 申请号： | 201710620301.8 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN107658244A | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 福岛刚史;相浦一博;伊藤规宏 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置和喷嘴，能够在停止了处理液的喷出之后确认喷嘴内的液面位置。实施方式的基板处理装置具备基板保持部和喷嘴。基板保持部保持基板。喷嘴向基板供给处理液。另外，喷嘴具备配管部和观察窗。配管部具有水平部分和从水平部分下垂的下垂部分，从下垂部分的顶端喷出处理液。观察窗设于配管部的水平部分。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 喷嘴 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置具备保持基板的基板保持部和向所述基板供给处理液的喷嘴，所述喷嘴具备：配管部，其具有水平部分和从所述水平部分下垂的下垂部分，该配管部从所述下垂部分的顶端喷出所述处理液；观察窗，其设于所述配管部的水平部分。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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