[发明专利]一种碳化硅陶瓷预制体、铝基碳化硅陶瓷材料及其制备方法在审
申请号: | 201710620667.5 | 申请日: | 2017-07-27 |
公开(公告)号: | CN107500772A | 公开(公告)日: | 2017-12-22 |
发明(设计)人: | 马少杰;杨小猛 | 申请(专利权)人: | 苏州诺瑞达新材料科技有限公司 |
主分类号: | C04B35/565 | 分类号: | C04B35/565;C04B35/626;C04B35/622;C04B41/88;C04B35/624;C04B38/06;C04B35/634;B28B1/00 |
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地址: | 215200 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种碳化硅陶瓷预制体、铝基碳化硅陶瓷材料及其制备方法,涉及材料及其制备技术领域,解决了现有制备工艺制备的碳化硅陶瓷预制体的强度低、结构不均一及碳化硅的体积分数低的技术问题。本发明的主要技术方案为将制备碳化硅陶瓷预制体的原料混合均匀,制得原料料浆;制备碳化硅陶瓷预制体的原料包括碳化硅、分散剂、有机单体及水;将引发剂加入至原料料浆中,混合均匀后得到陶瓷料浆;对陶瓷料浆依次进行真空除气处理、注模成型、脱模干燥,得到陶瓷素坯;将陶瓷素坯在800‑1200℃下进行烧结处理,得到碳化硅陶瓷预制体。本发明主要用于制备出高强度、结构均一的碳化硅陶瓷预制体,进而制备出高性能的铝基碳化硅陶瓷材料。 | ||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 陶瓷 预制 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种碳化硅陶瓷预制体的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:将制备碳化硅陶瓷预制体的原料混合均匀,制得原料料浆;其中,所述制 备碳化硅陶瓷预制体的原料包括碳化硅、分散剂、有机单体及水;所述碳化硅 与所述原料料浆的体积比为40‑70:100;将引发剂加入至所述原料料浆中,混合均匀后得到陶瓷料浆;其中,所述 引发剂与所述原料料浆的质量比为0.5‑5:1000;对所述陶瓷料浆依次进行真空除气处理、注模成型、脱模干燥,得到陶瓷 素坯;将所述陶瓷素坯在800‑1200℃下进行烧结处理,得到碳化硅陶瓷预制体。
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