[发明专利]具有比较器电路以将电流与基准电流比较的摄像装置在审
申请号: | 201710620979.6 | 申请日: | 2017-07-27 |
公开(公告)号: | CN107665901A | 公开(公告)日: | 2018-02-06 |
发明(设计)人: | 月田健太郎;大村昌伸 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/225 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 欧阳帆 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及具有比较器电路以将电流与基准电流比较的摄像装置。多个像素包括光电转换单元和第一晶体管。信号线连接至多个像素。第二晶体管包括电连接至第一晶体管的源极或漏极,并且包括被供应有与基准信号相对应的信号的栅极,基准信号的电势随着时间以预定梯度改变。第一电流源配置为将电流供应至第一晶体管和第二晶体管。控制单元配置为将第三晶体管的栅极和源极之间的电压控制为与第二晶体管的栅极和源极之间电压相对应的电压。比较器电路配置为将流过第三晶体管的第一电流与基准电流比较。 | ||
搜索关键词: | 具有 比较 电路 电流 基准 摄像 装置 | ||
【主权项】:
一种摄像装置,包括:多个像素,所述多个像素包括光电转换单元和具有栅极的第一晶体管,基于所述光电转换单元中所产生的电荷的信号被输入至所述第一晶体管的栅极;信号线,所述信号线连接至所述多个像素;第二晶体管,所述第二晶体管包括经由所述信号线电连接至所述第一晶体管的源极,并且包括被供应有与基准信号相对应的信号的栅极,所述基准信号的电势随着时间以预定梯度改变;第一电流源,所述第一电流源配置为将源电流供应至所述第一晶体管和所述第二晶体管;控制单元,所述控制单元配置为将第三晶体管的栅极和源极之间的电压控制成与所述第二晶体管的栅极和源极之间的电压相对应的电压;以及比较器电路,所述比较器电路配置为将流过所述第三晶体管的第一电流与基准电流比较。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能株式会社,未经佳能株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710620979.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种CMOS图像传感器及其制备方法和电子装置
- 下一篇:电致发光显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的