[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法有效
申请号: | 201710621655.4 | 申请日: | 2017-07-26 |
公开(公告)号: | CN108615738B | 公开(公告)日: | 2023-01-31 |
发明(设计)人: | L·斯塔克 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(RD)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 英国白*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开涉及电荷存储单元以及制造电荷存储单元的方法。一种可用于利用衬底材料中的第一沟槽和第二沟槽来制造电荷存储单元的方法。用掺杂材料填充该第一沟槽。用第二沟槽材料填充该第二沟槽。该方法包括使该掺杂剂从该第一沟槽扩散从而提供与该第一沟槽相邻的掺杂区。移除该第一和第二沟槽中的材料,并且用电容型深沟槽隔离材料填充这些沟槽中的至少一个沟槽以提供电容型深沟槽隔离。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造半导体器件的方法,所述方法包括:提供具有第一沟槽和第二沟槽的半导体区;用掺杂材料填充所述第一沟槽并且用与所述掺杂材料不同的第二沟槽材料填充所述第二沟槽;使源自所述掺杂材料的掺杂剂从所述第一沟槽扩散,从而提供与所述第一沟槽相邻的掺杂区;将所述掺杂材料从所述第一沟槽移除并且将所述第二沟槽材料从所述第二沟槽移除;以及用深沟槽隔离材料填充所述第一和第二沟槽以提供电容型深沟槽隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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