[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法

摘要

本公开涉及电荷存储单元以及制造电荷存储单元的方法。一种可用于利用衬底材料中的第一沟槽和第二沟槽来制造电荷存储单元的方法。用掺杂材料填充该第一沟槽。用第二沟槽材料填充该第二沟槽。该方法包括使该掺杂剂从该第一沟槽扩散从而提供与该第一沟槽相邻的掺杂区。移除该第一和第二沟槽中的材料，并且用电容型深沟槽隔离材料填充这些沟槽中的至少一个沟槽以提供电容型深沟槽隔离。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供具有第一沟槽和第二沟槽的半导体区；用掺杂材料填充所述第一沟槽并且用与所述掺杂材料不同的第二沟槽材料填充所述第二沟槽；使源自所述掺杂材料的掺杂剂从所述第一沟槽扩散，从而提供与所述第一沟槽相邻的掺杂区；将所述掺杂材料从所述第一沟槽移除并且将所述第二沟槽材料从所述第二沟槽移除；以及用深沟槽隔离材料填充所述第一和第二沟槽以提供电容型深沟槽隔离。