[发明专利]ITO溅射靶材及其制造方法有效
| 申请号： | 201710623904.3 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN107253855A | 公开（公告）日： | 2017-10-17 |
| 发明（设计）人： | 寺村享祐;武内朋哉 | 申请（专利权）人： | 三井金属矿业株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/457 | 分类号： | C04B35/457;C04B35/64;C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司11225 | 代理人： | 黄威;苏萌萌 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种ITO烧结体以及由该ITO烧结体组成的ITO溅射靶材，其中，所述ITO烧结体为，Sn的含量以SnO2量换算为质量百分比2.5～10.0％，并具有In2O3母相与存在于该In2O3母相的晶粒边界处的In4Sn3O12相，并且相对密度为98.0％以上，所述In2O3母相的平均粒径为17μm以下，该ITO烧结体的截面上的所述In4Sn3O12相的面积率为0.4％以上。本发明的ITO烧结体在加工工序中不容易产生裂纹或变形等。本发明的ITO溅射靶材在与基材接合的接合工序中不容易产生裂纹或变形等。因此，本发明的ITO烧结体以及ITO溅射靶材能够提升制造成品率。 | ||
| 搜索关键词： | ito 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化铟锡烧结体，其Sn的含量以SnO2量换算为质量百分比2.5～10.0％，并具有In2O3母相与存在于该In2O3母相的晶粒边界处的In4Sn3O12相，所述氧化铟锡烧结体的相对密度为98.0％以上，所述In2O3母相的平均粒径为17μm以下，并且该氧化铟锡烧结体的截面上的所述In4Sn3O12相的面积率为0.4％以上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三井金属矿业株式会社，未经三井金属矿业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710623904.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
