[发明专利]具有复合介质层宽带隙半导体纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法

摘要

本发明提出了一种具有复合介质层(Composite Dielectric Layer，CDL)宽带隙半导体纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法，该器件主要是在器件栅电极下方超结漂移区侧壁形成半绝缘多晶硅层(SIPOS)和高介电常数(High K)介质层组成的复合介质层。在器件关断时SIPOS柱与High K介质上具有均匀的电场，通过电场调制使得器件的超结漂移区内的电场分布均匀。同时，宽带隙超结漂移区与复合介质层共同辅助耗尽超结漂移区，大幅度提高了器件超结漂移区的耗尽能力，使得器件的漂移区掺杂浓度增加；在器件开启时漂移区的侧壁上具有多数载流子积累层，使得器件的导通电阻进一步降低。

主权项

一种具有复合介质层宽带隙半导体纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：半导体材料的衬底，兼作漏区；在衬底上外延生长形成的超结漂移区；超结漂移区的N柱和P柱的宽度和掺杂浓度满足电荷平衡条件；在所述超结漂移区上表面掺杂形成的左、右两处基区；在所述基区上部掺杂分别形成的源区和沟道衬底接触；在所述源区和沟道衬底接触上表面形成的源极；在所述漏区下表面形成的漏极；其特征在于：所述衬底以及超结漂移区的材料是宽带隙半导体材料，在所述左、右两处基区之间刻蚀形成沟槽，沟槽沿纵向穿过超结漂移区至衬底漏区，沟槽的深宽比根据器件的超结漂移区的长度来确定，超结漂移区的长度根据击穿电压要求确定；在所述沟槽的侧壁依次形成栅绝缘层、具有掺氧的半绝缘多晶硅层，使半绝缘多晶硅层纵向两端与器件的栅漏两端相连；半绝缘多晶硅层纵向表面对应于基区为重掺杂区域，在该重掺杂区域形成栅极；在表面成为半绝缘多晶硅层的沟槽内填充High K介质，High K介质与超结漂移区纵向等高，半绝缘多晶硅层和High K介质共同组成复合介质层。