[发明专利]半导体元件及半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 201710624530.7 | 申请日： | 2017-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN107665919B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 杨哲维;林浩雄;潘正圣 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;林浩雄 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件，包括自基板突出的半导体鳍片、半导体鳍片上方的栅极电极、半导体鳍片与栅极电极之间的栅极绝缘层、半导体鳍片的相对侧上设置的源极区域与漏极区域、源极区域与漏极区域之间的区域中所形成的第一应力源。第一应力源包括一种选自由He、Ne及Ga组成的群组的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其特征在于，包含：一半导体鳍片，自一基板突出；一栅极电极，经设置在该半导体鳍片上方；一栅极绝缘层，经设置在该半导体鳍片与该栅极电极之间；源极区域与漏极区域，经设置在该半导体鳍片的相对侧上；以及一第一应力源，经形成于该源极区域与该漏极区域之间的一区域中，其中该第一应力源的一晶格常数大于紧邻于该第一应力源的一区域的另一晶格常数。
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