[发明专利]一种耐低温弯曲不敏感单模光纤

摘要

一种耐低温抗弯曲不敏感单模光纤，包括玻璃部分以及包裹在玻璃外的两层高分子聚合物保护涂层，玻璃部分包括有芯层，内包层，下陷外包层以及外包层，芯层和内包层均为锗和氟共掺杂的石英玻璃，其中芯层F掺杂相对折射率贡献量Δ_F‑core为‑0.04～‑0.10％，芯层Ge掺杂的相对折射率贡献量Δ_Ge‑core为0.35～0.48％；内包层F掺杂相对折射率贡献量Δ_{F‑innerclad}为‑0.10～‑0.24％，内包层Ge掺杂的相对折射率贡献量Δ_{Ge‑inner clad}为0.05～0.20％，且|Δ_{F‑inner clad}|≥Δ_{Ge‑inner clad}；下陷外包层F掺杂相对折射率贡献量Δ_F‑trench为‑0.20～‑0.35％；且，芯层、内包层和下陷外包层中F掺杂的相对折射率贡献量存在以下关系：|Δ_F‑Trench|≥|Δ_F‑core|+|Δ_{F‑inner clad}|，且1.5*|Δ_F‑core|≤|Δ_{F‑inner clad}|。本发明通过优化光纤玻璃部分材料的组成和固化后涂层材料的组成，提高光纤抗微观弯曲性能，改善光纤在较低温度条件下的衰减性能以及稳定性。

主权项

1.一种耐低温抗弯曲不敏感单模光纤，包括玻璃部分以及包裹在玻璃外的两层高分子聚合物保护涂层，玻璃部分包括有芯层，内包层，下陷外包层以及外包层，其特征在于芯层和内包层均为锗Ge和氟F共掺杂的石英玻璃，其中芯层F掺杂相对折射率贡献量Δ_F‑core为‑0.04～‑0.10％，芯层Ge掺杂的相对折射率贡献量Δ_Ge‑core为0.35～0.48％；内包层F掺杂相对折射率贡献量Δ_{F‑innerclad}为‑0.10～‑0.24％，内包层Ge掺杂的相对折射率贡献量Δ_{Ge‑innerclad}为0.05～0.20％，且|Δ_{F‑innerclad}|≥Δ_{Ge‑innerclad}；下陷外包层为氟F掺杂的石英玻璃，F掺杂相对折射率贡献量Δ_F‑trench为‑0.20～‑0.35％；外包层为不含有Ge或F掺杂的纯二氧化硅玻璃材料；且，芯层，内包层和下陷外包层中F掺杂的相对折射率贡献量存在以下关系：|Δ_F‑Trench|≥|Δ_F‑core|+|Δ_{F‑innerclad}|，且1.5*|Δ_F‑core|≤|Δ_{F‑innerclad}|；光纤芯层和内包层中Ge掺杂的相对折射率贡献量Δ_Ge‑core和Δ_{Ge‑innerclad}由以下方程式定义：其中n_Ge为假设芯层或内包层的Ge掺杂物，在掺杂到没有其他掺杂物的纯二氧化硅后二氧化硅玻璃的绝对折射率，而n_c为最外侧外包层折射率，即纯二氧化硅的折射率；光纤芯层，内包层以及下陷包层中F掺杂的相对折射率贡献量Δ_F‑core，Δ_{F‑innerclad}和‑Δ_F‑trench由以下方程式定义：其中n_F为假设芯层或内包层的F掺杂物，在掺杂到没有其他掺杂物的纯二氧化硅中后玻璃的绝对折射率，而n_c为光纤玻璃部分最外侧外包层的绝对折射率，即纯二氧化硅的绝对折射率。