[发明专利]一种低温硅和钙钛矿叠层太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201710629147.0 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN107394046B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 常晶晶;张春福;林珍华;马靖;陈大正;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅和钙钛矿的叠层太阳能电池结构以及其制备工艺方法，主要解决现太阳能电池转化效率低和能源消耗大的问题。该电池结构自下而上包括阴极(1)、N型硅片基体(2)、P型导电材料(3)、电子传输层(5)、界面修饰层(6)、钙钛矿材料(7)、空穴传输层(8)及网状金属阳极(9)，其中P型导电材料(3)与电子传输层(5)之间设置有缓冲层(4)，且三者紧密结合，构成硅太阳能电池的P型材料与钙钛矿太阳能电池的电子传输层叠层结构，以提高太阳光的吸收率，并在制备过程中采用低于200℃退火工艺，避免了高温，减少了能源消耗，可用于便携式能源、能源窗户及可穿戴电子设备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 钙钛矿叠层 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低温硅和钙钛矿的叠层太阳能电池，自下而上包括阴极(1)、N型硅片基体(2)、P型导电材料(3)、电子传输层(5)、界面修饰层(6)、钙钛矿材料(7)、空穴传输层(8)及网状金属阳极(9)，其特征在于：P型导电材料(3)与电子传输层(5)之间设置有缓冲层(4)，且三者紧密结合，构成硅太阳能电池的P型材料与钙钛矿太阳能电池的电子传输层叠层结构；P型导电材料(3)采用PEDOT:PH1000材料，其厚度为80～120nm；缓冲层(4)采用PEDOT:4083材料，其厚度为30～60nm。
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