[发明专利]反向阻断IGBT在审
| 申请号： | 201710630022.X | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN107665922A | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | F.布鲁基;M.达伊内塞 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 周学斌,杜荔南 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及反向阻断IGBT。一种制造反向阻断IGBT（绝缘栅双极晶体管）的方法，包括在半导体衬底的器件区域中形成多个IGBT单元；在半导体衬底的围绕器件区域的周界区域中形成反向阻断边缘终端结构；在半导体衬底的切口区域与反向阻断边缘终端结构之间在周界区域中蚀刻一个或多个沟槽；沉积p型掺杂物源，其至少部分地填充所述一个或多个沟槽；以及将p型掺杂物从p型掺杂物源扩散到围绕所述一个或多个沟槽的半导体材料中，以便在半导体衬底的下表面处减薄半导体衬底之后在周界区域中形成从半导体衬底的上表面延伸到半导体衬底的下表面的连续p型掺杂区域。 | ||
| 搜索关键词： | 反向 阻断 igbt | ||
【主权项】：
一种制造反向阻断IGBT（绝缘栅双极晶体管）的方法，所述方法包括：在半导体衬底的器件区域中形成多个IGBT单元；在所述半导体衬底的围绕所述器件区域的周界区域中形成反向阻断边缘终端结构；在所述半导体衬底的切口区域与所述反向阻断边缘终端结构之间在所述周界区域中蚀刻一个或多个沟槽；沉积p型掺杂物源，其至少部分地填充所述一个或多个沟槽；以及将p型掺杂物从所述p型掺杂物源扩散到围绕所述一个或多个沟槽的半导体材料中，以便在所述半导体衬底的下表面处减薄所述半导体衬底之后在所述周界区域中形成从所述半导体衬底的上表面延伸到所述半导体衬底的下表面的连续p型掺杂区域。
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