[发明专利]一种可单面封装的双膜电容式压力传感器及制作方法有效

专利信息
申请号: 201710630405.7 申请日: 2017-07-28
公开(公告)号: CN107290083B 公开(公告)日: 2019-09-20
发明(设计)人: 秦明;王振军;龙克文;何华娟 申请(专利权)人: 佛山市川东磁电股份有限公司;东南大学
主分类号: G01L1/14 分类号: G01L1/14
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 肖平安
地址: 528500 广东省佛山*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及压力传感器技术领域,特指一种可单面封装的双膜电容式压力传感器及制作方法,包括玻璃衬底,玻璃衬底上设有小浅槽与大浅槽,小浅槽通过细槽连通于大浅槽,大浅槽上设有可测量低压差的电容C1与可测量高压差的电容C2,可测量低压差的电容C1包括底电极板与薄压力敏感膜,可测量高压差的电容C2包括厚压力敏感膜与顶电极板,小浅槽通过细槽与可测量低压差的电容C1对应设置,可测量低压差的电容C1与可测量高压差的电容C2对应设置。本发明采用变间距原理实现压力到电容的转换,可测量低压差的电容C1与可测量高压差的电容C2分别实现了低压段与高压段的高精度测量,不仅提高了压力测量精度,也提升了传感器的测量范围。
搜索关键词: 一种 单面 封装 电容 压力传感器 制作方法
【主权项】:
1.一种可单面封装的双膜电容式压力传感器,其特征在于:包括玻璃衬底(7),所述玻璃衬底(7)上设有小浅槽(8)与大浅槽(70),所述小浅槽(8)通过细槽(9)连通于大浅槽(70),所述大浅槽(70)上设有可测量低压差的电容C1与可测量高压差的电容C2,所述可测量低压差的电容C1包括底电极板(1)与薄压力敏感膜(2),所述可测量高压差的电容C2包括厚压力敏感膜(3)与顶电极板(4),所述小浅槽(8)通过细槽(9)与可测量低压差的电容C1对应设置,所述可测量低压差的电容C1与可测量高压差的电容C2对应设置;所述底电极板(1)覆盖于大浅槽(70)底面上,所述薄压力敏感膜(2)覆盖于大浅槽(70)对应部分的玻璃衬底(7)上表面,所述厚压力敏感膜(3)与薄压力敏感膜(2)之间设有第一支撑材料(5),所述顶电极板(4)与厚压力敏感膜(3)之间设有第二支撑材料(6)。
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