[发明专利]一种可隔离重构功率半导体模块及其隔离重构方法有效
申请号: | 201710630639.1 | 申请日: | 2017-07-28 |
公开(公告)号: | CN109309446B | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 刘文业;李彦涌;罗剑波;赖伟;范伟;李冬蕾 | 申请(专利权)人: | 中车株洲电力机车研究所有限公司 |
主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32;H02H7/12 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 陈晖 |
地址: | 412001 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种可隔离重构功率半导体模块及其隔离重构方法,功率半导体模块包括:两组以上的功率芯片组,功率芯片组包括两组以上采用对称结构布置的功率芯片;与功率芯片的栅极相连的脉冲发生单元;与功率芯片的集电极和发射极分别相连的状态检测单元;分别与脉冲发生单元、状态检测单元相连的功率芯片管理单元;功率芯片组的集电极公共连接端,及发射极公共连接端至各个功率芯片的电气主端子之间的连接段采用快熔材料。本发明能够解决单个功率芯片或芯片组损坏的情况下,无法实现剩余正常功率芯片的电路和参数自平衡,需要紧急更换功率半导体模块的技术问题。同时,还可以有效提高整个系统的可靠性,并降低功率半导体模块的运营维护成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 隔离 功率 半导体 模块 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种可隔离重构功率半导体模块,其特征在于,所述功率半导体模块(1)包括:两组以上的功率芯片组(2),所述功率芯片组(2)包括两组以上采用对称结构布置的功率芯片(10);分别与所述功率芯片(10)的门极相连的脉冲发生单元(7)和状态检测单元(8);分别与所述脉冲发生单元(7)、状态检测单元(8)相连的功率芯片管理单元(6);所述功率芯片组(2)的集电极公共连接端(9),及发射极公共连接端(11)至各个功率芯片(10)的电气主端子(12)之间的连接段(3)采用快熔材料。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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