[发明专利]一种可隔离重构功率半导体模块及其隔离重构方法有效

专利信息
申请号: 201710630639.1 申请日: 2017-07-28
公开(公告)号: CN109309446B 公开(公告)日: 2020-06-19
发明(设计)人: 刘文业;李彦涌;罗剑波;赖伟;范伟;李冬蕾 申请(专利权)人: 中车株洲电力机车研究所有限公司
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32;H02H7/12
代理公司: 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 代理人: 陈晖
地址: 412001 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种可隔离重构功率半导体模块及其隔离重构方法,功率半导体模块包括:两组以上的功率芯片组,功率芯片组包括两组以上采用对称结构布置的功率芯片;与功率芯片的栅极相连的脉冲发生单元;与功率芯片的集电极和发射极分别相连的状态检测单元;分别与脉冲发生单元、状态检测单元相连的功率芯片管理单元;功率芯片组的集电极公共连接端,及发射极公共连接端至各个功率芯片的电气主端子之间的连接段采用快熔材料。本发明能够解决单个功率芯片或芯片组损坏的情况下,无法实现剩余正常功率芯片的电路和参数自平衡,需要紧急更换功率半导体模块的技术问题。同时,还可以有效提高整个系统的可靠性,并降低功率半导体模块的运营维护成本。
搜索关键词: 一种 隔离 功率 半导体 模块 及其 方法
【主权项】:
1.一种可隔离重构功率半导体模块,其特征在于,所述功率半导体模块(1)包括:两组以上的功率芯片组(2),所述功率芯片组(2)包括两组以上采用对称结构布置的功率芯片(10);分别与所述功率芯片(10)的门极相连的脉冲发生单元(7)和状态检测单元(8);分别与所述脉冲发生单元(7)、状态检测单元(8)相连的功率芯片管理单元(6);所述功率芯片组(2)的集电极公共连接端(9),及发射极公共连接端(11)至各个功率芯片(10)的电气主端子(12)之间的连接段(3)采用快熔材料。
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