[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710630826.X | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN108122981B | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 廖志腾;陈志山;邱意为;夏英庭;翁子展 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供一种鳍式场效晶体管装置及其制造方法，此方法包含在基底上方形成鳍，形成隔离区相邻于鳍，在鳍的上方形成虚设栅极结构，将相邻于虚设栅极结构的鳍凹陷，以形成第一凹陷，第一凹陷具有U形底面，U形底面在隔离区的顶面下方，将第一凹陷重新塑形，以形成重新塑形后的第一凹陷，重新塑形后的第一凹陷具有V形底面，V形底面的至少一部分包含一或多个阶梯，在重新塑形后的第一凹陷内外延成长源极/漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括：在一基底上方形成一鳍；形成一隔离区相邻于该鳍；在该鳍的上方形成一虚设栅极结构；将相邻于该虚设栅极结构的该鳍凹陷以形成一第一凹陷，该第一凹陷具有一U形底面，该U形底面在该隔离区的一顶面之下；将该第一凹陷重新塑形，以形成一重新塑形后的第一凹陷，该重新塑形后的第一凹陷具有一V形底面，该V形底面的至少一部分包括一或多个阶梯；以及在该重新塑形后的第一凹陷内外延成长一源极/漏极区。
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