[发明专利]一种提拉生长制备LSGM快离子导体单晶的方法在审
| 申请号： | 201710630881.9 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN107268073A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 邾根祥;朱沫浥;安唐林;柴文超;刘刚 | 申请（专利权）人： | 合肥科晶材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/22 |
| 代理公司： | 北京双收知识产权代理有限公司11241 | 代理人： | 王菊珍 |
| 地址： | 230088 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种提拉生长制备LSGM快离子导体单晶的方法，可解决较大尺寸的LSGM单晶极难制备的技术问题。具体步骤如下步骤一将原料La2O3、Ga2O3、MgO和SrCO3分别烘干备用；步骤二按质量百分比La2O3Ga2O3SrCO3MgO＝61.1％35.2％2.9％0.8％进行配料；步骤三将原料在行星式球磨机中进行均匀球磨混料，预烧成相之后压制成块，放入铱坩埚中；步骤四将铱坩埚放入单晶生长炉中，通入惰性气体，升温至1500‑1700℃左右，采用籽晶杆，控制提拉速度为1‑4mm/h，籽晶杆旋转速度为10‑20rpm进行提拉生长，最后缓慢降温得到直径2”的LSGM单晶。本发明方法简单方便，可制备出较大尺寸LSGM单晶，对于LSGM单晶以及其在SOFCs中的应用研究具有重大的意义，有效的填补了国内在单晶LSGM研究中的空白。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 制备 lsgm 离子 导体 方法 | ||
【主权项】：
一种提拉生长制备LSGM快离子导体单晶的方法，其特征在于：具体步骤如下：步骤一：将原料La2O3、Ga2O3、MgO和SrCO3分别烘干备用；步骤二：按质量百分比La2O3：Ga2O3：SrCO3：MgO＝61.1％：35.2％：2.9％：0.8％进行配料；步骤三：将原料在行星式球磨机中进行均匀球磨混料，预烧成相之后压制成块，放入铱坩埚中；步骤四：将铱坩埚放入单晶生长炉中，通入惰性气体，升温至1500‑1700℃左右，采用籽晶杆，控制提拉速度为1‑4mm/h，籽晶杆旋转速度为10‑20rpm进行提拉生长，最后缓慢降温得到直径2”的LSGM单晶。
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