[发明专利]多次可擦写的单层多晶硅非挥发性存储器及其存储方法有效
| 申请号： | 201710631010.9 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN107256721B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 刘吉平;朱金桥;唐伟 | 申请（专利权）人： | 深圳市航顺芯片技术研发有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14;H10B41/30 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 辛鸿飞 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了多次可擦写的单层多晶硅非挥发性存储器及其存储方法，一种多次可擦写的单层多晶硅非挥发性存储器，包括存储晶体管，所述存储晶体管与阱耦合电容连接形成浮栅晶体管，阱耦合电容为P型阱区和多晶硅层形成的电容，并且阱耦合电容所形成的电容容值远大于存储晶体管的栅极电容，位线选择晶体管和位线选择晶体管为N型晶体管，具有选通功能；本发明能够在不增加制造工艺复杂度的条件下，实现非易失性存储功能；同时，双单元结构，相对于其他CMOS工艺的非易失性存储器，降低了存储器的占用面积，从而为业界提供了一种高性价比的存储器解决方案。 | ||
| 搜索关键词： | 多次 擦写 单层 多晶 挥发性 存储器 及其 存储 方法 | ||
【主权项】：
一种多次可擦写的单层多晶硅非挥发性存储器，其特征在于：包括存储晶体管，所述存储晶体管与阱耦合电容连接形成浮栅晶体管，阱耦合电容为P型阱区和多晶硅层形成的电容，并且阱耦合电容所形成的电容容值远大于存储晶体管的栅极电容，位线选择晶体管和位线选择晶体管为N型晶体管，具有选通功能；浮栅晶体管的栅极连接负电压，基极连接正电压，位线选择栅接地，源极选择栅接地，源极线连接正电压，位线连接正电压，在浮栅晶体管的基极与栅极之间产生强电场，浮栅中的电子被移除，从而实现了擦除功能，同时降低了浮栅晶体管的阈值。
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