[发明专利]一种用ALD构建同心核壳三维纳米多铁异质结阵列的方法有效
| 申请号： | 201710631763.X | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN107425053B | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 张易军;刘明;任巍;叶作光;王琛英;蒋庄德 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/34;C23C16/455;B82Y10/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用ALD构建同心核壳三维纳米多铁异质结阵列的方法，首先在导电玻璃上生长ZnO纳米线阵列，然后利用ZnO纳米线阵列作为模板，采用原子层沉积法ALD依次沉积铁电薄膜和磁性薄膜，在刻蚀掉ZnO纳米线阵列顶部的铁电薄膜和磁性薄膜后，在ZnO纳米线阵列的顶部溅射一层金属电极，即得到具有同心核壳结构的三维纳米多铁异质结阵列，解决了现有多铁异质结还停留在平面结构和无法实现微型化的技术难题，与现有主流的三维微电子器件工艺相兼容，操作简单，廉价且安全无毒、无污染、利于量，有效的技术路线和解决方案来实现多铁异质结从平面结构过渡到三维结构，实现了从宏观尺寸过渡到微观尺寸的瓶颈性突破。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ald 构建 同心 三维 纳米 多铁异质结 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种用ALD构建同心核壳三维纳米多铁异质结阵列的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在导电玻璃上生长ZnO纳米线阵列；2)利用有机金属前驱体源和氧源在ZnO纳米线阵列上沉积均匀保形的铁电薄膜；3)利用铁源和氧源在沉积有铁电薄膜的ZnO纳米线阵列上沉积均匀保形的磁性薄膜；4)刻蚀掉ZnO纳米线阵列顶部的铁电薄膜和磁性薄膜，露出ZnO纳米线阵列的顶部；5)利用磁控溅射法在ZnO纳米线阵列的顶部溅射一层金属电极，即得到具有同心核壳结构的三维纳米多铁异质结阵列。
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