[发明专利]可变电阻存储器件有效
| 申请号： | 201710631798.3 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN107665947B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 崔雪;堀井秀树;安东浩;朴盛健;成东俊;梁民圭;李政武 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及可变电阻存储器件。一种可变电阻存储器件可以包括：第一电极层；在第一电极层上的选择器件层，该选择器件层包括基本上由锗(Ge)、硒(Se)和锑(Sb)组成的硫属元素化物开关材料，其中基于原子百分比，Ge的含量小于Se的含量；在选择器件层上的第二电极层；在第二电极层上的可变电阻层，可变电阻层包括硫属元素化物材料；以及在可变电阻层上的第三电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 电阻 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种可变电阻存储器件，包括：第一电极层；在所述第一电极层上的选择器件层，所述选择器件层包括基本上由锗(Ge)、硒(Se)和锑(Sb)组成的硫属元素化物开关材料，其中基于原子百分比，Ge的含量小于Se的含量；在所述选择器件层上的第二电极层；在所述第二电极层上的可变电阻层，所述可变电阻层包括硫属元素化物材料；以及在所述可变电阻层上的第三电极层。
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