[发明专利]一种基于双曝光工艺的DFB激光器和制作方法在审
| 申请号： | 201710632079.3 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN107453204A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 胡忞远;杨帆;陈如山;方娜;刘巍;金灿;阳红涛;刘应军;王任凡 | 申请（专利权）人： | 武汉电信器件有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/30 |
| 代理公司： | 深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙)44341 | 代理人： | 何婷 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种基于双曝光工艺的DFB激光器和制作方法。本发明采用双曝光技术来制作DFB激光器中的部分光栅，即谐振腔长内并没有完全覆盖均匀光栅，而是在我们选择的两侧腔面留有一定长度的光栅间隔，从而提高了高调制频率的直调DFB激光器电特性的一致性分布且得到了更优的光谱特性。本发明利用双曝光技术来实现带有一定长度光栅间隔的非均匀光栅的制作，该方法结合全息干涉的光栅制作平台，以及用紫外光刻机和设计留有一定间隔的掩膜版图这两道曝光工艺来实现所设计的部分光栅。本发明利用折射率耦合的部分光栅配合脊型波导实现DFB激光器良好的光电特性和一致性的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 曝光 工艺 dfb 激光器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于双曝光工艺的DFB激光器，其特征在于，DFB激光器包括长度为L的有源增益区，其中，所述有源增益区内包含长度为Lg的布拉格光栅；所述布拉格光栅位于所述有源增益区的中间区域，所述布拉格光栅所在区域相对于DFB激光器的出光面距离为L1，并且相对于DFB激光器的反光面距离为L2。
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