[发明专利]一种基于异质外延生长单晶金刚石的方法在审
| 申请号： | 201710633557.2 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN107268076A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 张景文;陈旭东;王进军;李洁琼;卜忍安;王宏兴;侯洵 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/04 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于异质外延生长单晶金刚石的方法，在异质外延衬底上生长第一铱金属层，以第一铱金属层为依托在第一铱金属层上生长第一金刚石层；保证生长的第一金刚石层与第一铱金属层不受晶格失配影响，在第一金刚石层上生长图形化的第二铱金属层，在图形化的第二铱金属层上生长第二金刚石层，第二金刚石层与第二铱金属层和第一金刚石层接触生长，此时第二金刚石层处于自由生长状态，没有晶格失配的影响，得到生长有两层金刚石层和两层铱金属层的异质外延衬底，将第二金刚石层与第一金刚石层和第二铱金属层分离即可得到单晶金刚石，以异质外延衬底为依托，进行单晶金刚石的生长，可以降低金刚石器件制作成本，有利于发挥出金刚石优异特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 外延 生长 金刚石 方法 | ||
【主权项】：
一种基于异质外延生长单晶金刚石的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1)，在异质外延衬底上生长第一铱金属层；步骤2)、在第一铱金属层上生长第一金刚石层；步骤3)、在第一金刚石层上生长图形化的第二铱金属层；步骤4)、在第二铱金属层上生长第二金刚石层，得到生长有两层金刚石层和两层铱金属层的异质外延衬底；步骤5)、将第二金刚石层与第一金刚石层和第二铱金属层分离即可得到单晶金刚石。
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