[发明专利]一种场效应增强硅基LED电致发光强度的方法及应用在审
| 申请号： | 201710633684.2 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN107464865A | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 陈家荣;张羽;任达森 | 申请（专利权）人： | 贵州民族大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/34 |
| 代理公司： | 贵阳派腾阳光知识产权代理事务所(普通合伙)52110 | 代理人： | 谷庆红 |
| 地址： | 550000 贵州*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明属于LED技术领域，具体涉及一种场效应增强硅基LED电致发光强度的方法及应用。该方法通过将最佳厚度的场效应层i‑Si和Al2O3加入到硅基LED器件中，提高硅光源电荷注入区域中电荷的传输，从而提高硅基LED的电致发光强度，为实现硅基LED的应用化提供有效的支持，通过改变场效应层i‑Si和Al2O3的厚度和两者是否共同作用于LED中，获得硅基LED最佳的电致发光强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 增强 led 电致发光 强度 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种场效应增强硅基LED电致发光强度的方法，其特征在于：是将场效应层i‑Si和Al2O3加入到硅基LED器件中。
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