[发明专利]增强型鳍式绝缘栅高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 201710636269.2 | 申请日： | 2017-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN109285880A | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 吴绍飞 | 申请（专利权）人： | 吴绍飞 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211100 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强型鳍式绝缘栅高电子迁移率晶体管，主要解决现有增强型器件的阈值电压小，短沟道效应严重的问题。其自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、GaN沟道层(3)、AlGaN势垒层(4)、栅介质层(5)、钝化层(6)和源、漏、栅电极。其中GaN沟道层与AlGaN势垒层组成AlGaN/GaN异质结；栅电极采用凹槽栅结构，且包裹在AlGaN/GaN异质结的两侧和上方，形成三维栅结构；栅电极与AlGaN/GaN异质结之间设有一层高介电常数的栅介质；源、漏电极设在AlGaN/GaN异质结的两端。本发明器件具有阈值电压高，栅控能力强，源、漏电阻小的优点，可作为小尺寸的增强型器件。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 栅电极 高电子迁移率晶体管 增强型器件 阈值电压 绝缘栅 增强型 栅结构 鳍式 短沟道效应 发明器件 介电常数 栅介质层 钝化层 漏电极 漏电阻 能力强 栅介质 衬底 三维 | ||
【主权项】：
1.一种增强型鳍式绝缘栅高电子迁移率晶体管，自下而上包括衬底(1)、GaN缓冲层(2)、GaN沟道层(3)、AlGaN势垒层(4)、栅介质层(5)、钝化层(6)和栅、源、漏电极，GaN沟道层和AlGaN势垒层形成AlGaN/GaN异质结，AlGaN/GaN异质结生成二维电子气，其特征在于：栅电极采用凹槽栅结构，且包裹在AlGaN/GaN异质结的两侧和上方，形成三维栅结构；栅电极与AlGaN/GaN异质结之间设有一层高介电常数的栅介质；源、漏电极设在AlGaN/GaN异质结的两端，以实现与二维电子气的直接接触。
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