[发明专利]表面增强拉曼散射基底的制备方法有效
申请号: | 201710637648.3 | 申请日: | 2015-04-15 |
公开(公告)号: | CN107490570B | 公开(公告)日: | 2020-01-10 |
发明(设计)人: | 朱圣清;周健;杨润苗;周仕龙 | 申请(专利权)人: | 江苏理工学院 |
主分类号: | G01N21/65 | 分类号: | G01N21/65;C03C17/10;C03C17/36;C03C17/40;C04B41/51;C04B41/52;C25D13/02 |
代理公司: | 32214 常州市江海阳光知识产权代理有限公司 | 代理人: | 孙培英 |
地址: | 213001 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种表面增强拉曼散射基底的制备方法,基底包括导电衬底、二维贵金属微纳结构阵列和金纳米星;本发明的表面增强拉曼散射基底的制备方法首先利用光刻技术,在平整的导电衬底材料上,制备一层二维贵金属微纳结构阵列,阵列单元为星形,阵列单元尺寸范围在150nm~1000nm,间距为10nm~500nm;然后通过电泳法,把金纳米星颗粒沉积在二维贵金属微纳结构阵列中各星形单元的尖端附近区域;由于二维贵金属微纳结构阵列中各星形单元的尖端电场极大的特征,电泳过程中金纳米星颗粒优先吸附到尖端位置,金纳米星颗粒与二维贵金属微纳结构阵列中各星形单元的尖端间距可达10nm以下。 | ||
搜索关键词: | 表面 增强 散射 基底 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种表面增强拉曼散射基底的制备方法,其特征在于:所述拉曼散射基底包括导电衬底(1)、二维贵金属微纳结构阵列(2)和金纳米星(3),二维贵金属微纳结构阵列(2)单元为星形贵金属薄膜,金纳米星(3)通过电泳沉积在二维贵金属微纳结构阵列(2)的各星形单元的尖端;/n制备方法包括以下步骤:/n①在导电衬底(1)上制备含有二维星状微纳结构阵列图案的光刻层;/n对导电衬底(1)进行清洗、烘干、旋涂一层光刻胶(11);对光刻胶(11)进行软烘;将掩模板对准导电衬底(1),进行曝光;曝光后进行后烘,后烘结束后进行显影,从而导电衬底(1)的表面具有二维星状微纳结构阵列图案的光刻层(12);所述掩模板上设有呈阵型排列的星状微纳结构,星状微纳结构为透光区域,掩模板的其余部分为非透光区域;各个星状微纳结构的尺寸为150nm~1000nm,相邻的两个星状微纳结构之间的间距为10nm~500nm;/n
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