[发明专利]锡锗硫硒化物薄膜及其制备方法、光电转换器件

摘要

本发明通过同时增加Ge含量和硫硒分压制备高质量锡锗硫硒化物薄膜，其中，Ge含量为锡锗硫硒化物(M1x1M2x2Sn1‑xGexS1‑ySey)(M1为Cu、Ag中的一种或者两种任意比例混合，M2为Zn、Cd中的一种或者两种任意比例混合，0≤x1≤1，0≤x2≤1，0x≤1，0≤y≤1)中Ge与Sn的相对比例(Ge/(Ge+Sn))，硫硒分压为硫硒化处理过程中单质S蒸汽、单质Se蒸汽、H2S气体或H2Se气体的分压。通过同时增加Ge含量和硫硒分压使锡锗硫硒化物薄膜的光电性能大幅提升，此方法操作简单且具有通用性，制备出的高质量锡锗硫硒化物薄膜能够应用于太阳能电池，光解水电池和光电探测器等光电器件中。