[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201710637712.8 | 申请日： | 2017-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN109326595B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 吕佐文;林哲平;詹电针;詹书俨 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该半导体元件包含：一半导体基底，其上具有一栅极沟槽，该栅极沟槽包含一上沟槽及一下沟槽，其中该上沟槽较该下沟槽宽；一栅极，嵌入于该栅极沟槽中，其中该栅极包含一栅极上部及一栅极下部；一第一栅极介电层，设于该栅极上部与该上沟槽的侧壁之间，其中该第一栅极介电层具有一第一厚度；及一第二栅极介电层，设于该栅极下部与该下沟槽的侧壁之间，其中该第二栅极介电层具有一第二厚度，且该第二厚度小于该第一厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，包含：半导体基底，其上具有栅极沟槽，该栅极沟槽包含上沟槽及下沟槽，其中该上沟槽较该下沟槽宽；栅极，嵌入于该栅极沟槽中，其中该栅极包含栅极上部及栅极下部；第一栅极介电层，设于该栅极上部与该上沟槽的侧壁之间，其中该第一栅极介电层具有一第一厚度；及第二栅极介电层，设于该栅极下部与该下沟槽的侧壁之间，其中该第二栅极介电层具有一第二厚度，且该第二厚度小于该第一厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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