[发明专利]一种紫外LED外延芯片倒装结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201710638940.7 | 申请日： | 2017-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN107293629A | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 何苗;杨思攀;王成民;周海亮;王润 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L25/075;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 李婷婷,王宝筠 |
| 地址： | 510062 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供一种紫外LED外延芯片倒装结构及其制作方法，所述紫外LED外延芯片倒装结构包括相对设置的衬底和基板；位于衬底和基板之间的外延层结构；隔离层，隔离层垂直于衬底设置，贯穿外延层结构，并将外延层结构隔离成发光二极管结构与静电保护二极管结构；其中，发光二极管结构的第二电极和静电保护二极管结构的第一电极电连接。由于静电保护二极管结构的第一电极与发光二极管结构的第二电极电连接，使得静电保护二极管结构与发光二极管结构反向并联，直接提供了一条静电放电通道，浪涌电压或大脉冲电流可以绕过发光二极管结构而流经静电保护二极管结构，从而保证了发光二极管结构正常工作，提高了紫外LED外延芯片的成品率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 led 外延 芯片 倒装 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种紫外LED外延芯片倒装结构，其特征在于，包括：相对设置的衬底和基板；位于所述衬底和所述基板之间的外延层结构；隔离层，所述隔离层垂直于所述衬底设置，贯穿所述外延层结构，并将所述外延层结构隔离成发光二极管结构与静电保护二极管结构；其中，所述发光二极管结构的第二电极和所述静电保护二极管结构的第一电极电连接。
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