[发明专利]一种双轴晶电光调Q开关及其制备方法有效
| 申请号： | 201710640015.8 | 申请日： | 2017-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN107465105B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 陈建荣;张书峰;王海丽;袁雷;沈德忠 | 申请（专利权）人： | 北京中材人工晶体研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/115 | 分类号： | H01S3/115 |
| 代理公司： | 11002 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王莹;李官<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 100018 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种双轴晶电光调Q开关及其制备方法；其中一种双轴晶电光调Q开关由一个整块的矩形双轴晶电光晶体制成；电光调Q开关的通光方向的中心位置处为相位补偿波片；电光调Q开关上的相位补偿波片两侧的部分均为电光晶体元件，电光晶体元件的沿通光方向延伸且互相平行的两个c向面均镀有电极层；相位补偿波片在通光方向上的长度为用于对目标激光产生的相位延迟进行补偿的相位补偿波片厚度的奇数倍；两个电光晶体元件在通光方向上的长度相同；能够有效且可靠提高调Q开关的温度稳定性，插入损耗低且操作简单，既能够解决由于双轴晶电光晶体的静态双折射随温度变化而对调Q开关的温度稳定性造成的影响，又保证了电光调Q开关固有的消光比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双轴晶 电光 开关 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双轴晶电光调Q开关，其特征在于，所述电光调Q开关由一个整块的矩形双轴晶电光晶体制成；/n所述电光调Q开关的通光方向的中心位置处为相位补偿波片；/n所述电光调Q开关上的相位补偿波片两侧的部分均为电光晶体元件，且所述电光晶体元件沿通光方向延伸且互相平行的两个c向面均镀有电极层；/n两个所述电光晶体元件在的通光方向上的长度相同。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京中材人工晶体研究院有限公司，未经北京中材人工晶体研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710640015.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型石墨烯搓澡巾
- 下一篇：一种餐巾纸及垃圾盛放盒
