[发明专利]一种新型ESD保护结构及其实现方法有效
| 申请号： | 201710640089.1 | 申请日： | 2017-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN107516657B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 朱天志 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型ESD保护结构及其实现方法，该新型ESD保护结构包括：半导体基体；生成于所述半导体基体中的第一N阱和第二N阱；设置于所述第一N阱中的硅控整流器以及设置于所述第二N阱中的二极管结构，通过本发明，可增加ESD保护结构回滞效应的维持电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 esd 保护 结构 及其 实现 方法 | ||
【主权项】：
1.一种新型ESD保护结构，其特征在于，该ESD保护结构包括：半导体基体(80)；生成于所述半导体基体中的第一N阱(60)和第二N阱(70)；设置于所述第一N阱中的硅控整流器以及设置于所述第二N阱中的二极管结构，第一高浓度P型掺杂(28)、第一高浓度N型掺杂(20)、第二高浓度N型掺杂(22)相隔离设置于所述第一N阱上部，P型ESD植入层(40)设置于所述第二高浓度N型掺杂(22)下方，所述第一高浓度P型掺杂(28)、第一N阱、ESD植入层(40)、第二高浓度N型掺杂(22)构成所述硅控整流器，所述第一高浓度N型掺杂(20)与第一高浓度P型掺杂(28)相连组成该新型ESD保护结构的阳极A。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
