[发明专利]一种紫外LED芯片及其制备方法

摘要

本申请公开了一种紫外LED芯片及其制备方法，该紫外LED芯片通过在衬底表面上生长外延结构，以及在所述外延结构的中间设置绝缘层和凹槽接触层，进而将完整的外延结构隔离成两种彼此绝缘的第一外延结构和第二外延结构，通过凹槽接触层将第一外延结构的N型氮化镓铝层引出，并且紫外LED芯片通过基板上的N电极、P电极和中间电极配合第一外延结构和第二外延结构分别形成了发光二极管和静电保护二极管，该静电保护二极管反向并联连接在发光二极管两端，为紫外LED芯片提供了一条静电释放的通道，减小了静电放电对紫外LED芯片的直接危害，增大了LED的正向电压和抗静电放电打击的强度，从而提高了紫外LED芯片的成品率和可靠性。

主权项

一种紫外LED芯片，其特征在于，包括：衬底；基于所述衬底表面依次生长的外延结构、以及在外延结构中设置的绝缘层和凹槽接触层；位于所述外延结构一侧背离所述衬底的基板，所述基板朝向所述衬底一侧表面设有布线层、P电极、N电极和中间电极；其中，所述外延结构包括：基于所述衬底表面依次生长的氮化铝成核层、超晶格层、N型氮化镓铝层、量子阱层、电子阻挡层、第一P型导电层、第二P型导电层、金属反射层和薄膜导电层；所述绝缘层位于所述外延结构的中部，用于隔离所述外延结构，并将所述外延结构分隔成第一外延结构和第二外延结构；所述凹槽接触层贯穿所述第一外延结构的一部分，与所述第一外延结构的N型氮化镓铝层电连接，与所述第一外延结构的其他结构绝缘，所述凹槽接触层设有一个背离所述绝缘层一侧的斜面；所述P电极与所述第一外延结构中的薄膜导电层电连接，所述N电极与所述第二外延结构的N型氮化镓铝层电连接，所述中间电极与所述凹槽接触层和所述第二外延结构中的薄膜导电层电连接。