[发明专利]网状氧化钨纳米线修饰的硅纳米线异质多级结构及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201710640185.6 | 申请日： | 2017-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN109324088A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 秦玉香;王泽峰;赵黎明;王立萍 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供网状氧化钨纳米线修饰的硅纳米线异质多级结构及其制备方法和应用，按照下述步骤进行：金属辅助化学刻蚀法刻蚀硅纳米线阵列、硅纳米线阵列的稀疏、粗糙化处理、氧化钨种子层的制备和网状氧化钨纳米线的水热生长。基于一维纳米线的层状复合材料由于具有独特的高活性表面结构，非常适合于气体传感器，网状氧化钨纳米线修饰的硅纳米线异质多级结构因其特殊的异质结结构，增强了电导率以及载流子输运能力，所以在常温下对NO2有较强的敏感响应。该结构可在常温下检测NO2气体，在气体传感器与集成电路工艺兼容，延长传感器寿命，节约能耗，以及危险气体检测方面具有很重要的研究价值。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化钨纳米线 多级结构 硅纳米线 异质 修饰 制备方法和应用 硅纳米线阵列 气体传感器 常温下 层状复合材料 集成电路工艺 危险气体检测 电导率 传感器寿命 粗糙化处理 化学刻蚀法 一维纳米线 异质结结构 载流子输运 表面结构 金属辅助 水热生长 高活性 氧化钨 种子层 刻蚀 稀疏 制备 能耗 兼容 敏感 检测 节约 响应 研究 | ||
【主权项】：
1.网状氧化钨纳米线修饰的硅纳米线异质多级结构，其特征在于，在由硅纳米线组成的阵列中，氧化钨纳米线呈现网状结构，并包覆在硅纳米线上，硅纳米线长20‑32μm，直径1‑2μm，氧化钨纳米线长400‑1200nm，直径18—30nm。
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