[发明专利]一种防止硅片翘片的光刻方法有效
| 申请号： | 201710643122.6 | 申请日： | 2017-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN107219728B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 许小兵;柯栋栋;薛宏菊 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/20 |
| 代理公司： | 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人： | 谷庆红 |
| 地址： | 550018 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 一种防止硅片翘片的光刻方法，包括以下步骤，硅片清洗→匀正面胶→前烘→曝光→显影→烘干→硅片正面边缘匀胶→硅片背面匀胶→坚膜→腐蚀。通过在光刻工序显影后在图形面的周围匀上一圈光刻胶，使周围涂上胶的一圈位置不被腐蚀，这样硅片边缘不会有小缺口，不会对刮涂玻璃浆造成操作上的麻烦，同时由于硅片边缘没被腐蚀，硅片的机械强度得到一定程度的增加，而这一圈没有被腐蚀到的表面能减小玻璃成型时的玻璃收缩应力对硅片形状的影响，玻璃成型后硅片没有明显形变，表面平整，后续工序的操作不易产生碎片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 硅片 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种防止硅片翘片的光刻方法，其特征在于：包括以下步骤，a)硅片清洗，去除表面的污染物；b)匀正面胶，在硅片静止时滴胶，然后加速旋转匀胶；c)前烘，使用90～120℃在真空情况下烘烤25～30min；d)曝光，使用投影曝光工艺对硅片曝光；e)显影，将显影液喷洒在硅片表面使光刻胶溶解；f)烘干，使用90～120℃对硅片进行烘烤4～7min；g)硅片边缘匀胶，对硅片正面边缘进行匀胶；h)背面匀胶，对硅片背面进行匀胶；i)坚膜，对使用130～170℃温度对硅片进行烘烤25～35min；j)腐蚀，腐蚀液将变质的光刻胶腐蚀掉。
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