[发明专利]一种具有环形电极结构的LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201710644275.2 | 申请日： | 2017-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN109326702A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 吴向龙;闫宝华;彭璐;刘琦;肖成峰 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种具有环形电极结构的LED芯片及其制备方法，该芯片是在p型GaN层上设置有透明导电层，透明导电层上设置有钝化层，n型GaN层上设置有环形台面，透明导电层上设置有p电极，环形台面上设置有n电极，n电极呈环形；上述芯片的制备方法包括以下步骤：（1）得到GaN基外延片；（2）采用环形结构的掩膜版刻蚀出环形台面；（3）形成透明导电层；（4）制作钝化层；（5）腐蚀钝化层；（6）在p型GaN层表面的钝化层上制备P电极，在环形台面上制备n电极。本发明通过采用环形电极结构，解决了P、N电极的高度差问题而易于焊线，减少了有源层的刻蚀面积，通过金属电极的反射作用，可以将电极周围的光进行反射，提高了亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 透明导电层 环形电极 钝化层 环形台面 环形台 芯片 腐蚀钝化层 电极周围 反射作用 环形结构 金属电极 高度差 焊线 刻蚀 掩膜 源层 反射 制作 | ||
【主权项】：
1.一种具有环形电极结构的LED芯片，包括由下而上依次设置的衬底、n型GaN层、量子阱层和p型GaN层，其特征是：p型GaN层上设置有透明导电层，透明导电层上设置有钝化层，n型GaN层上设置有环形台面，透明导电层上设置有p电极，环形台面上设置有n电极，n电极呈环形。
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