[发明专利]半导体存储装置以及数据写入方法有效
| 申请号： | 201710644944.6 | 申请日： | 2017-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN108573732B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 清水直树 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G06F11/10 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘静;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供能够提高处理能力的半导体存储装置以及数据写入方法。实施方式的半导体存储装置包括：包含多个存储器单元(MC)的存储器单元阵列(10)；包括生成写入数据的纠错码的编码器(32)以及基于纠错码进行读出数据的纠正处理的译码器(31)的ECC电路(24)；能够存储写入数据、纠正数据、以及已在纠正处理中使用的纠错码的页缓冲器(25)；以及多路复用器(26)，其第1输入端子连接于编码器(32)，第2输入端子连接于页缓冲器(25)，输出端子连接于存储器单元阵列(10)，在向多个存储器单元(MC)写入写入数据的情况下第1输入端子被选择，在向多个存储器单元写入纠正数据的情况下第2输入端子被选择。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 以及 数据 写入 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其中，具备：存储器单元阵列，其包含多个存储器单元；ECC电路，其包括编码器和译码器，所述编码器在向所述多个存储器单元写入从外部输入的写入数据的情况下生成纠错码，所述译码器在从所述多个存储器单元读出数据的情况下基于所述纠错码进行从所述多个存储器单元读出的所述数据的纠正处理，所述ECC电路是错误检查和纠正电路；页缓冲器，其能够存储所述写入数据、通过所述纠正处理纠正后的纠正数据以及已在所述纠正处理中使用的所述纠错码；以及多路复用器，其第1输入端子连接于所述编码器，第2输入端子连接于所述页缓冲器，输出端子连接于所述存储器单元阵列，在向所述多个存储器单元写入所述写入数据的情况下第1输入端子被选择，在向所述多个存储器单元写入所述纠正数据的情况下第2输入端子被选择。
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