[发明专利]电极结构及其制备方法、石墨烯超级电容器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201710645370.4 申请日: 2017-08-01
公开(公告)号: CN107610937A 公开(公告)日: 2018-01-19
发明(设计)人: 汪际军 申请(专利权)人: 全普光电科技(上海)有限公司
主分类号: H01G11/24 分类号: H01G11/24;H01G11/26;H01G11/30;H01G11/36;H01G11/46;H01G11/52;H01G11/56;H01G11/70;H01G11/84;H01G11/86;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201203 上海*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种电极结构及其制备方法、石墨烯超级电容器及其制备方法,该电极结构包括石墨烯薄膜;位于石墨烯薄膜表面的由纳米球构成的第一半导体层;位于第一半导体层上的第二半导体层,第二半导体层由纳米线构成,且每个纳米球上均至少有一根纳米线与之垂直接触;位于第二半导体层上的第三半导体层,第三半导体层由纳米花构成,且每根纳米线上均至少有一颗纳米花与之接触;在整个石墨烯薄膜表面上设置固态电解质,固态电解质渗透于第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层的间隙中,且将第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层包裹住,固态电解质的顶部高于第三半导体层的顶部,本发明提高了超级电容器的电容量、能量密度和稳定性。
搜索关键词: 电极 结构 及其 制备 方法 石墨 超级 电容器
【主权项】:
一种超级电容器的电极结构,其特征在于,包括:石墨烯薄膜;位于石墨烯薄膜表面的由纳米球构成的第一半导体层;位于第一半导体层上的第二半导体层,第二半导体层由纳米线构成,且每个纳米球上均至少有一根纳米线与之垂直接触;位于第二半导体层上的第三半导体层,第三半导体层由纳米花构成,且每根纳米线上均至少有一颗纳米花与之接触;在整个石墨烯薄膜表面上设置固态电解质,固态电解质渗透于第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层的间隙中,且将第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层包裹住,固态电解质的顶部高于第三半导体层的顶部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于全普光电科技(上海)有限公司,未经全普光电科技(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710645370.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top