[发明专利]磁存储器件以及用于制造其的方法有效
| 申请号： | 201710645754.6 | 申请日： | 2017-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN107689418B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 金哉勋;金柱显 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种磁存储器件，其包括具有自由图案、参考图案、以及在自由图案与参考图案之间的隧道势垒图案的磁隧道结图案。自由图案包括第一子自由图案、第二子自由图案和第三子自由图案。第一子自由图案在隧道势垒图案与第三子自由图案之间，第二子自由图案在第一子自由图案与第三子自由图案之间。第二子自由图案包括镍‑钴‑铁‑硼(NiCoFeB)，第三子自由图案包括镍‑铁‑硼(NiFeB)。还提供了相关的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种磁存储器件，包括：磁隧道结图案，其包括自由图案、参考图案、以及在所述自由图案与所述参考图案之间的隧道势垒图案，所述自由图案包括：第一子自由图案；第二子自由图案；以及第三子自由图案，其中所述第一子自由图案在所述隧道势垒图案与所述第三子自由图案之间；其中所述第二子自由图案在所述第一子自由图案与所述第三子自由图案之间并包括镍‑钴‑铁‑硼(NiCoFeB)；以及其中所述第三子自由图案包括镍‑铁‑硼(NiFeB)。
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