[发明专利]一种显示面板成膜设备及方法有效
申请号: | 201710647166.6 | 申请日: | 2017-08-01 |
公开(公告)号: | CN107400879B | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 华梓同;吴勃;扈映茹;谌文娟;王东花;邹志杰 | 申请(专利权)人: | 成都天马微电子有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/509;C23C16/52;G02F1/13 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 610000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种显示面板成膜设备及方法。该显示面板成膜设备包括:至少一个真空腔体,每个真空腔体形成有真空腔室;气体输送系统,与真空腔体连接,用于将气体输送至真空腔室;待成膜基板,设置于真空腔室中;气体流速调控装置,设置于真空腔室中,位于待成膜基板成膜的一侧,且与待成膜基板具有一定间距,输入真空腔室的气体流经气体流速调控装置后,在待成膜基板上成膜;气体流速调控装置用于调控流经气体流速调控装置的不同位置的气体的流速。本发明实施例解决了成膜设备的成膜膜厚及膜质存在差异性的问题,实现了在整张基板不同位置和在不同基板之间成膜的一致性。 | ||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 设备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种显示面板成膜设备,其特征在于,包括:至少一个真空腔体,每个所述真空腔体形成有真空腔室;气体输送系统,与所述真空腔体连接,用于将气体输送至所述真空腔室;待成膜基板,设置于所述真空腔室中;气体流速调控装置,设置于所述真空腔室中,位于所述待成膜基板成膜的一侧,且与所述待成膜基板具有一定间距,输入所述真空腔室的所述气体流经所述气体流速调控装置后,在所述待成膜基板上成膜;所述气体流速调控装置用于调控流经所述气体流速调控装置的不同位置的气体的流速;还包括上部电极,位于所述真空腔室中,其中,所述上部电极包括气体扩散腔,所述气体输送系统与所述气体扩散腔相连;所述气体扩散腔靠近所述待成膜基板的一侧形成有多个通气孔,通入所述气体扩散腔的气体经所述通气孔和所述气体流速调控装置输出到所述待成膜基板;所述气体流速调控装置包括:通气孔开合单元,与所述通气孔对应设置,用于调节所述通气孔的可通气区域的大小;还包括:通气孔控制单元,连接于所述通气孔开合单元,用于控制所述通气孔开合单元的开合程度和开合状态;所述通气孔开合单元和所述通气孔控制单元位于所述通气孔靠近所述气体扩散腔一侧。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的