[发明专利]一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备方法及装置在审
| 申请号： | 201710647391.X | 申请日： | 2017-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN107268085A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 易德福;守建川;何军;陈佳丽 | 申请（专利权）人： | 江西德义半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B31/08 | 分类号： | C30B31/08;C30B31/10;C30B31/12;C30B29/42 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 344000 江西省抚*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备方法及装置，通过控制源区与生长区的温度分布实现物理化学气相传输，即原料在源区下发生化学反应并形成气相物质，该气相物质在轴向温度梯度的作用下物理传输到至砷化镓多晶中。该种方法合成的高阻半绝缘砷化镓多晶用于拉制半绝缘砷化镓单晶，拉制出的半绝缘砷化镓单晶具有电阻率高、碳分布均匀、电子迁移率高的优点；避免了在砷化镓单晶拉制过程中直接掺杂，有效降低了如晶体生长的成晶率、C浓度的控制及其分布均匀性等方面的制造难度；设备简单、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 砷化镓 多晶 制备 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备装置，其特征在于：包括一圆筒形的加热装置，所述加热装置的一端为源区，另一端为生长区，所述加热装置的控制温度从所述源区至所述生长区递增；所述加热装置内固定设置有一石英管，所述石英管内与所述源区相对应的位置相邻设置有用于盛放石墨粉的第一PBN舟和用于盛放第Ⅲ‑Ⅳ族氯化物、氟化物或氧化物的第二PBN舟，所述石英管内与所述生长区相对应的位置设有一用于盛放砷化镓多晶的第三PBN舟；所述石英管在反应时为真空密封状态。
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