[发明专利]浸泡式蚀刻设备及浸泡式蚀刻方法有效
申请号: | 201710648971.0 | 申请日: | 2017-08-01 |
公开(公告)号: | CN107564840B | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 尹易彪 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/3213;H01L21/66;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种浸泡式蚀刻设备及浸泡式蚀刻方法。本发明的浸泡式蚀刻设备包括承载台、感应器、以及蚀刻槽;所述蚀刻槽的下端和上端分别设有多个进液口和多个排液口;由进液口不断输送蚀刻液,并由排液口不断排除多余的蚀刻液,可以使得蚀刻槽内始终储有蚀刻液,并保证蚀刻槽内蚀刻液始终新鲜,从而可避免对于每一片基板都重新进行蓄液和排液,能够有效提高蚀刻效率,并且通过在蚀刻槽上端设置排液口以不断排除多余的蚀刻液,可以避免现有蚀刻设备排液时因Shutter快速打开而导致产品Mura的形成,另外,本发明通过设置用于判定蚀刻终点的感应器,相较于人眼观察,能够更加准确地判断蚀刻终点,得到最优的产品参数规格。 | ||
搜索关键词: | 浸泡 蚀刻 设备 方法 | ||
【主权项】:
一种浸泡式蚀刻设备,其特征在于,包括用于承载基板(90)的承载台(10)、设于所述承载台(10)上并用于判定蚀刻终点的感应器(20)、以及设于所述承载台(10)下方用于容纳蚀刻液和基板(90)的蚀刻槽(30);所述蚀刻槽(30)的下端设有多个用于向蚀刻槽(30)内输送蚀刻液的进液口(301),所述蚀刻槽(30)的上端设有多个用于排出蚀刻槽(30)内多余蚀刻液的排液口(302);所述承载台(10)通过沿垂直方向上下移动,带动基板(90)一起进入蚀刻槽(30)内的蚀刻液中以开始蚀刻,或带动基板(90)从蚀刻槽(30)内的蚀刻液中离开以停止蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造