[发明专利]一种硒化锑薄膜太阳能电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201710649458.3 申请日: 2017-08-01
公开(公告)号: CN107546289A 公开(公告)日: 2018-01-05
发明(设计)人: 唐江;鲁帅成;牛广达;陈超;赵洋;李康华 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01L31/0445 分类号: H01L31/0445;H01L31/0216;H01L31/032;H01L31/18
代理公司: 华中科技大学专利中心42201 代理人: 李智,曹葆青
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种硒化锑薄膜太阳能电池及其制备方法,其中电池包括导电基底、n型层、p型层和电极,所述n型层为氧化锡薄膜,所述p型层为硒化锑薄膜。相比于传统的n型层硫化镉,本发明使用的氧化锡绿色无毒,可用以构筑绿色无毒的新型硒化锑薄膜太阳能电池。而且氧化锡禁带宽度大,化学性质稳定,可提高电池在短波段的吸光,增大电池的光电流,以及获得更高的器件稳定性。本方法有希望获得高效率的绿色无毒的硒化锑薄膜太阳能电池。
搜索关键词: 一种 硒化锑 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种硒化锑薄膜太阳能电池,其特征在于,包括:导电基底(1)、n型层(2)、p型层(3)和电极(4),所述n型层(2)为氧化锡薄膜,所述p型层(3)为硒化锑薄膜。
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