[发明专利]一种硒化锑薄膜太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201710649458.3 | 申请日: | 2017-08-01 |
公开(公告)号: | CN107546289A | 公开(公告)日: | 2018-01-05 |
发明(设计)人: | 唐江;鲁帅成;牛广达;陈超;赵洋;李康华 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L31/0445 | 分类号: | H01L31/0445;H01L31/0216;H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心42201 | 代理人: | 李智,曹葆青 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种硒化锑薄膜太阳能电池及其制备方法,其中电池包括导电基底、n型层、p型层和电极,所述n型层为氧化锡薄膜,所述p型层为硒化锑薄膜。相比于传统的n型层硫化镉,本发明使用的氧化锡绿色无毒,可用以构筑绿色无毒的新型硒化锑薄膜太阳能电池。而且氧化锡禁带宽度大,化学性质稳定,可提高电池在短波段的吸光,增大电池的光电流,以及获得更高的器件稳定性。本方法有希望获得高效率的绿色无毒的硒化锑薄膜太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 一种 硒化锑 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种硒化锑薄膜太阳能电池,其特征在于,包括:导电基底(1)、n型层(2)、p型层(3)和电极(4),所述n型层(2)为氧化锡薄膜,所述p型层(3)为硒化锑薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的