[发明专利]磁电阻效应器件有效

专利信息
申请号: 201710650266.4 申请日: 2017-08-02
公开(公告)号: CN107689363B 公开(公告)日: 2020-06-05
发明(设计)人: 柴田哲也;铃木健司;占部顺一郎;山根健量;志村淳 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01L25/04 分类号: H01L25/04;H01L43/08;H03H9/46
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦;黄浩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明公开了一种能够实现利用磁电阻效应元件的高频滤波器等高频器件的磁电阻效应器件。磁电阻效应器件(101)包括第一磁电阻效应元件(1a)、第二磁电阻效应元件(1b)、第一接口(9a)、第二接口(9b)、信号线路(7)及直流电流输入端子(11),其中,通过信号线路(7)按顺序串联连接第一接口(9a)、第一磁电阻效应元件(1a)及第二接口(9b),第二磁电阻效应元件(1b)以相对第二接口(9b)并联的方式连接于信号线路(7),第一磁电阻效应元件(1a)及第二磁电阻效应元件(1b)形成为在第一磁电阻效应元件(1a)及第二磁电阻效应元件(1b)的每一个中流动的直流电流的方向与每一个中的磁化固定层(2)、间隔层(3)及磁化自由层(4)的配置顺序在第一磁电阻效应元件(1a)中和在第二磁电阻效应元件(1b)中相反。
搜索关键词: 磁电 效应 器件
【主权项】:
一种磁电阻效应器件,包括:第一磁电阻效应元件、第二磁电阻效应元件、输入高频信号的第一接口、输出高频信号的第二接口、信号线路、及直流电流输入端子,其中,通过所述信号线路按顺序串联连接所述第一接口、所述第一磁电阻效应元件及所述第二接口,所述第二磁电阻效应元件以相对所述第二接口并联的方式连接于所述信号线路,所述第一磁电阻效应元件及所述第二磁电阻效应元件都包括磁化固定层、磁化自由层及配置在这两层之间的间隔层,并且,所述第一磁电阻效应元件及所述第二磁电阻效应元件形成为从所述直流电流输入端子输入并在所述第一磁电阻效应元件及所述第二磁电阻效应元件的每一个中流动的直流电流的方向与每一个中的所述磁化固定层、所述间隔层及所述磁化自由层的配置顺序的关系在所述第一磁电阻效应元件中和在所述第二磁电阻效应元件中相反。
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