[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201710650748.X | 申请日： | 2017-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN108630666A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 久米一平 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/11517;H01L27/11563 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种微细化优异且具有无线通信功能的半导体装置。本实施方式的半导体装置具备第1半导体芯片及第2半导体芯片。第1半导体芯片具有设置于第1半导体衬底的第1面或位于该第1面的相反侧的第2面上的第1电感部分。第1金属电极设置于第1面与第2面之间且贯通第1半导体衬底而连接于第1电感部分。第2半导体芯片具有设置于第2半导体衬底的第3面或位于该第3面的相反侧的第4面上的第2电感部分。第2金属电极设置于第3面与第4面之间且贯通第2半导体衬底而连接于第2电感部分。第1及第2半导体芯片积层。第1及第2电感部分作为一个电感元件经由第1或第2金属电极而电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 电感 半导体芯片 衬底 半导体装置 半导体 金属电极 相反侧 贯通 无线通信功能 电感元件 电连接 微细化 积层 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：第1半导体芯片，具有：设置于第1半导体衬底的第1面上的第1半导体元件，设置于所述第1半导体衬底的所述第1面或位于该第1面的相反侧的第2面的上方的第1电感部分；及设置于所述第1面与所述第2面之间且贯通所述第1半导体衬底而连接于所述第1电感部分的第1金属电极；及第2半导体芯片，具有：设置于第2半导体衬底的第3面上的第2半导体元件，设置于所述第2半导体衬底的所述第3面或位于该第3面的相反侧的第4面的上方的第2电感部分，及设置于所述第3面与所述第4面之间且贯通所述第2半导体衬底而连接于所述第2电感部分的第2金属电极；所述第1及第2半导体芯片积层，所述第1及第2电感部分作为一个电感元件经由所述第1或第2金属电极而电连接。
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