[发明专利]温控硫族元素蒸气分配装置及均匀沉积铜铟镓硒的方法在审
| 申请号： | 201710650854.8 | 申请日： | 2017-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN107686975A | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·T·塔斯;海因里希·冯·比诺;罗伯特·马丁森 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司11252 | 代理人： | 贾博雍,吴兰柱 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于沉积含硫族元素的化合物半导体的均匀薄膜的沉积系统和方法。沉积系统包括真空盒，所述真空盒连接至真空泵；溅射系统，所述溅射系统包括位于所述真空盒中的至少一个溅射靶；含硫族元素的气体源；以及气体分配歧管，所述气体分配歧管具有供应侧和分配侧。所述分配侧具有多个开口区域，所述多个开口区域具有独立的温度控制；并且所述供应侧连接至所述含硫族元素的气体源。反应溅射沉积含硫族元素的化合物半导体材料的方法包括将含硫族元素的化合物半导体材料的至少一个金属组分溅射到衬底上；以及向所述衬底的端部比向所述衬底的中部提供更高的硫族元素流，以形成所述含硫族元素的化合物半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 温控 元素 蒸气 分配 装置 均匀 沉积 铜铟镓硒 方法 | ||
【主权项】：
一种用于沉积含硫族元素的化合物半导体材料的沉积系统，包括：真空盒，所述真空盒连接至真空泵；溅射系统，所述溅射系统包括位于所述真空盒中的至少一个溅射靶，其中所述溅射系统被配置为在所述真空盒中的衬底上沉积材料，所述材料包括含硫族元素的化合物半导体材料的至少一个组分；含硫族元素的气体源；以及气体分配歧管，所述气体分配歧管具有供应侧和分配侧，其中：所述分配侧具有多个开口区域，所述多个开口区域具有独立的温度控制；并且所述供应侧连接至所述含硫族元素的气体源。
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