[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710651125.4 | 申请日： | 2017-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN108417550B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 加本拓;右田达夫;渡边慎也 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种已将衬底接合的可靠性提高的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具有：第一半导体衬底，将第一布线电极设置在表面；第一保护层，形成在所述半导体衬底上，且于所述第一布线电极上具有开口部；第一凸块电极，形成在所述第一保护层的开口部；及凸块，与所述第一凸块电极接合，且凸块直径为30μm以下。形成在所述开口部的所述第一凸块电极的底面直径为所述第一保护层的膜厚的1.5倍以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于具有：第一半导体衬底，将第一布线电极设置在表面；第一保护层，形成在所述半导体衬底上，且在所述第一布线电极上具有开口部；第一凸块电极，形成在所述第一保护层的开口部；及凸块，与所述第一凸块电极接合，且凸块直径为30μm以下；形成在所述开口部的所述第一凸块电极的底面直径为所述第一保护层的膜厚的1.5倍以下。
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