[发明专利]基于光敏中间层的光控磁阻器件有效
| 申请号： | 201710651535.9 | 申请日： | 2017-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN107527995B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 赵巍胜;刘攀;林晓阳;斯志仲 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L31/08 |
| 代理公司： | 北京慧泉知识产权代理有限公司 11232 | 代理人： | 王顺荣;唐爱华 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于光敏中间层的光控磁阻器件，本发明共提出2种实施方案。方案一：使用光敏材料取代现有磁阻器件中的非光敏中间层材料，即该磁阻器件的核心结构为“铁磁层/光敏中间层/铁磁层”，其中上下两个铁磁层作为自由层及参考层。方案二：在方案一的基础上，在铁磁层和光敏中间层之间，进一步设置缓冲层。本发明提出的基于光敏中间层的磁阻器件由于其中间层电学性质的光可调控性，增加了通过光学方法调控器件磁阻的新维度，使得单个磁阻器件可以实现4种以上电阻状态，从而可以存储多比特数据。因此能够实现更高的数据存储密度，同时降低单比特数据储存成本。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 光敏 中间层 光控 磁阻 器件 | ||
【主权项】：
一种基于光敏中间层的光控磁阻器件，其特征在于：使用光敏材料取代现有磁阻器件中的非光敏中间层材料，从而实现额外的以光学方式对阻值的调控，即该磁阻器件的核心结构为“铁磁层/光敏中间层/铁磁层”，其中上下两个铁磁层作为自由层及参考层，被光敏中间层分隔开。
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