[发明专利]扇出型封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201710652320.9 | 申请日： | 2017-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN107527880A | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 陈彦亨;林正忠 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/48;H01L23/488;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/24 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种扇出型封装结构及其制备方法，所述扇出型封装结构包括重新布线层；半导体芯片，位于所述重新布线层的第一表面；虚拟芯片，位于所述重新布线层的第一表面，且位于相邻所述半导体芯片之间及所述半导体芯片所在分布区域的外围；塑封材料层，位于所述重新布线层的第一表面；焊料凸块，位于所述重新布线层的第二表面。本发明的扇出型封装结构通过在重新布线层上表面的半导体芯片之间设置虚拟芯片，所述虚拟芯片会占据半导体芯片之间的空间，这就是的所述扇出型封装结构内使用到塑封材料比较少，从而有效避免扇出型封装结构发生翘曲。 | ||
| 搜索关键词： | 扇出型 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种扇出型封装结构，其特征在于，所述扇出型封装结构包括：重新布线层，所述重新布线层包括相对的第一表面及第二表面；半导体芯片，位于所述重新布线层的第一表面，且与所述重新布线层电连接；虚拟芯片，位于所述重新布线层的第一表面，且位于相邻所述半导体芯片之间及所述半导体芯片所在分布区域的外围；塑封材料层，位于所述重新布线层的第一表面，所述塑封材料层填满所述半导体芯片及所述虚拟芯片之间的间隙，并将所述半导体芯片及所述虚拟芯片封裹塑封；焊料凸块，位于所述重新布线层的第二表面，且与所述重新布线层电连接。
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