[发明专利]一种含双吡啶二唑衍生物受体的聚合物半导体及其制备方法与应用有效

专利信息
申请号: 201710654172.4 申请日: 2017-08-03
公开(公告)号: CN107573489B 公开(公告)日: 2019-12-27
发明(设计)人: 陈华杰;朱春光;郑丽萍 申请(专利权)人: 湘潭大学
主分类号: C08G61/12 分类号: C08G61/12;H01L51/05;H01L51/30
代理公司: 11394 北京卓恒知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 代理人: 唐曙晖;徐楼
地址: 411105 *** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明属于聚合物半导体材料领域,公开了一种含双吡啶二唑衍生物受体的聚合物半导体及其制备方法与应用。该聚合物半导体的结构如式(I)所示。制备方法包括:(1)2‑三丁基锡基‑4‑烷基噻吩与二溴苯并二唑衍生物反应制备中间体a;(2)化合物a和双丁基锡b反应得到化合物c;(3)化合物c和N‑溴代丁二酰亚胺进行反应得到M1;(4)M1和(E)–双1,2–(三正丁基锡基)乙烯进行钯催化偶联反应,得到最终产物。本发明的合成路线简单高效、原料易得、成本低廉、普适性高和重复性好,以本发明的聚合物半导体为活性层制备的场效应晶体管获得突出的双极性传输特性,具有广阔的市场前景。
搜索关键词: 制备 聚合物半导体 式( I ) 二唑衍生物 聚合物半导体材料 溴代丁二酰亚胺 场效应晶体管 三正丁基锡 传输特性 合成路线 偶联反应 三丁基锡 烷基噻吩 最终产物 丁基锡 二溴苯 活性层 普适性 双极性 钯催化 乙烯 应用
【主权项】:
1.一种含双吡啶二唑衍生物受体的聚合物半导体,其特征在于:所述聚合物半导体具有式(I)所示的分子结构通式;/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘潭大学,未经湘潭大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710654172.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top