[发明专利]一种基于SIW传输线的斜面吸收阵列负载

摘要

本发明涉及微波、传输线负载技术，具体涉及一种基于SIW损耗传输线的斜面吸收阵列负载，应用于X波段。包括SIW损耗传输线和斜面吸收阵列。本发明基于SIW传输线，通过在SIW传输线以及斜面吸收阵列负载的金属化孔和金属化通孔外围设置管状吸波材料层，实现了X波段内的吸波效果良好，回波损耗小于‑29dB，易于集成化和小型化；可应用于SIW器件测试夹具校准件或环行隔离器的吸收负载。

主权项

1.一种基于SIW传输线的斜面吸收阵列负载，包括SIW损耗传输线和斜面吸收阵列，其特征在于：所述SIW损耗传输线，包括介质基板、介质基板上下表面的金属层和两行平行并贯穿介质基板和二层金属层的金属化通孔，以及设置于金属化通孔外围的管状吸波材料层；所述斜面吸收阵列由设置于介质基板的n排平行的金属化孔组成，相邻两排的金属化孔排间距p2相等，且与SIW损耗传输线的单行相邻金属化通孔的孔间距相等，(n‑1)*p2>λ/2，λ为X波段下限频率在传输线中的波长；各排金属化孔与SIW传输线的两行平行的金属化通孔所在的直线垂直，第n排金属化孔为金属化通孔，其余均为金属化孔仅贯穿下表面金属层至介质基板中，即嵌入于介质基板；金属化孔外围设置有管状吸波材料层；所述管状吸波材料层是以金属化孔或金属化通孔的轴心为物理中心设置于其外围，即金属化孔和金属化通孔与管状吸波材料层同轴，管状吸波材料层的壁厚dr＞0，0＜2dr+d＜p1且0＜2dr+d＜p2，d为金属化孔和金属化通孔的直径，p1为同排相邻金属化孔的轴心距，管状吸波材料层高度与各金属化孔和金属化通孔高度相同并相适应；各排金属化孔在同一排高度相等，相邻两排高度差为Δh，且高度随排数序号按等差数列规律递增，金属化孔整体呈斜坡状；第n排金属化孔与SIW传输线中的两行金属化通孔的金属化通孔组在一条直线上呈对应关系，各排金属化孔与SIW传输线的两行金属化通孔的n组金属化通孔均依次一一对应设置于同一直线。