[发明专利]一种半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 201710654837.1 | 申请日： | 2017-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN109390216A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;陈卓凡 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 侯莉;毛立群 |
| 地址： | 300385*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，在衬底上形成掩膜材料层，在掩膜材料层上形成分立牺牲层；形成覆盖分立牺牲层侧壁的侧墙；形成侧墙后，除去分立牺牲层；在相邻侧墙之间填充聚合物层；对相邻侧墙之间的聚合物层进行处理，使聚合物层转化为至少包括第一子聚合物区、第二子聚合物区和第三子聚合物区，第一子聚合物区、第二子聚合物区和第三子聚合物区依次横向排列；除去第一子聚合物区和第三子聚合物区；以侧墙和第二子聚合物区为掩膜刻蚀掩膜材料层，形成掩膜层。本发明能够形成的大小尺寸相对更小子聚合物区，使后续形成更加精细的掩膜层图案。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物区 侧墙 聚合物层 牺牲层 分立 半导体器件 掩膜材料层 掩膜层 衬底 刻蚀掩膜材料 横向排列 侧壁 填充 掩膜 精细 图案 覆盖 转化 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成掩膜材料层，在所述掩膜材料层上形成分立牺牲层；形成覆盖所述分立牺牲层侧壁的侧墙；形成所述侧墙后，除去所述分立牺牲层；在相邻所述侧墙之间填充聚合物层；对相邻所述侧墙之间的所述聚合物层进行处理，使所述聚合物层转化为至少包括第一子聚合物区、第二子聚合物区和第三子聚合物区，所述第一子聚合物区、所述第二子聚合物区和所述第三子聚合物区依次横向排列；除去所述第一子聚合物区和所述第三子聚合物区；以所述侧墙和所述第二子聚合物区为掩膜刻蚀所述掩膜材料层，形成掩膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
