[发明专利]半导体元件

摘要

一种半导体元件，包含设置于基材上的第一与第二纳米线结构，第一及第二纳米线沿着第一方向延伸。第一纳米线结构包含多个第一纳米线。第一纳米线沿着第一方向延伸且沿着垂直第一方向的第二方向排列。第二纳米线结构包含多个第二纳米线。第二纳米线沿着第一方向延伸且沿着第二方向排列。第一与第二纳米线的材料不同。相邻纳米线彼此间隔。多个第一及第二栅极结构分别于环绕局部的第一及第二纳米线。第一及第二栅极结构包含多个栅极电极。第一纳米线沿着第二方向的高度与紧邻的第二纳米线沿着第二方向的间隔距离不相等。

主权项

一种半导体元件，其特征在于，包含：一第一纳米线结构，设置于一半导体基材上，该第一纳米线结构于该半导体基材上沿着一第一方向延伸，其中该第一纳米线结构包含多个第一纳米线，所述多个第一纳米线包含一第一纳米线材料，所述多个第一纳米线沿着该第一方向延伸且是沿着一第二方向排列，该第二方向垂直于该第一方向；一第二纳米线结构，设置于该半导体基材上，该第二纳米线结构于该半导体基材上沿着该第一方向延伸，其中该第二纳米线结构包含多个第二纳米线，所述多个第二纳米线包含一第二纳米线材料，所述多个第二纳米线沿着该第一方向延伸且是沿着该第二方向排列，且该第二纳米线材料与该第一纳米线材料不同，其中各个纳米线和另一紧邻的纳米线彼此间隔；多个第一栅极结构，于该第一纳米线结构中的一第一区域环绕所述多个第一纳米线；以及多个第二栅极结构，于该第二纳米线结构中的一第一区域环绕所述多个第二纳米线，其中所述多个第一栅极结构及所述多个第二栅极结构包含多个栅极电极，其中当观看沿着一第三方向的一横截面时，所述多个第一纳米线沿着该第二方向的一高度与紧邻的所述多个第二纳米线沿着该第二方向的一间隔距离不相等，其中该第三方向垂直于该第一方向及该第二方向。